2 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, Tipo P, 160 mΩ, 4 A 20 V, TSOT, Superficie Miglioramento, 6 Pin
- Codice RS:
- 182-6877
- Codice costruttore:
- DMC2057UVT-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
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- Codice RS:
- 182-6877
- Codice costruttore:
- DMC2057UVT-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo N, Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | TSOT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 160mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.1W | |
| Tensione diretta Vf | 0.7V | |
| Minima temperatura operativa | 150°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | -55°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0 | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo N, Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package TSOT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 160mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.1W | ||
Tensione diretta Vf 0.7V | ||
Minima temperatura operativa 150°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Temperatura massima di funzionamento -55°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Standard/Approvazioni RoHS, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0 | ||
Lunghezza 3mm | ||
Altezza 0.9mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Questo MOSFET di nuova generazione è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, pertanto è ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa capacità d'ingresso
Elevata velocità di commutazione
Bassa dispersione di ingresso/uscita
Completamente senza piombo
Senza alogeni e antimonio. Dispositivo ecologico.
Applicazioni
retroilluminazione
Convertitori cc-cc
Funzioni di gestione dell'alimentazione
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