2 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo P, Tipo N, 150 mΩ, 3.6 A 30 V, TSOT, Superficie Miglioramento, 6 Pin
- Codice RS:
- 206-0060
- Codice costruttore:
- DMC3060LVT-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
351,00 €
(IVA esclusa)
429,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 03 maggio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,117 € | 351,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 206-0060
- Codice costruttore:
- DMC3060LVT-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo P, Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3.6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | TSOT | |
| Serie | DMC3060 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 150mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 5.6nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.16W | |
| Tensione diretta Vf | 0.8V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 2.9mm | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo P, Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3.6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package TSOT | ||
Serie DMC3060 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 150mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 5.6nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.16W | ||
Tensione diretta Vf 0.8V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 2.9mm | ||
Altezza 0.9mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET in modalità potenziata a coppia complementare DiodesZetex 30V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo pur mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è di 12 V con dissipazione di potenza termica di 0,83 W.
Bassa capacità di ingresso
Elevata velocità di commutazione
Link consigliati
- 2 MOSFET DiodesZetex Duale Tipo N 3.6 A 30 V Superficie Miglioramento, 6 Pin
- 2 MOSFET DiodesZetex Duale 0.3 Ω TSOT 6 Pin
- 2 MOSFET DiodesZetex Duale Tipo P 4.6 A 30 V Superficie Miglioramento, 6 Pin
- 2 MOSFET DiodesZetex Duale Tipo P 4 A 20 V Superficie Miglioramento, 6 Pin
- 2 MOSFET DiodesZetex Duale 0.3 Ω TSOT 6 Pin DMP3164LVT-7
- 2 MOSFET DiodesZetex Duale Tipo P 4 A 20 V Superficie Miglioramento, 6 Pin DMC2057UVT-7
- 1 MOSFET DiodesZetex Duale 200 mΩ TSOT 6 Pin
- 1 MOSFET DiodesZetex Duale 200 mΩ TSOT 6 Pin DMN3061SVT-7
