2 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo P, Tipo N, 150 mΩ, 3.6 A 30 V, TSOT, Superficie Miglioramento, 6 Pin
- Codice RS:
- 206-0060
- Codice costruttore:
- DMC3060LVT-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,136 € | 408,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 206-0060
- Codice costruttore:
- DMC3060LVT-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P, Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3.6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | DMC3060 | |
| Tipo di package | TSOT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 150mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.16W | |
| Tensione diretta Vf | 0.8V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 5.6nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 2.9mm | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P, Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3.6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie DMC3060 | ||
Tipo di package TSOT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 150mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.16W | ||
Tensione diretta Vf 0.8V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 5.6nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 2.9mm | ||
Altezza 0.9mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET in modalità potenziata a coppia complementare DiodesZetex 30V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo pur mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è di 12 V con dissipazione di potenza termica di 0,83 W.
Bassa capacità di ingresso
Elevata velocità di commutazione
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