1 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 200 mΩ, 3.4 A 30 V, TSOT, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:
206-0081
Codice costruttore:
DMN3061SVT-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

3.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

DMN3061

Tipo di package

TSOT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

200mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.7V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.08W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2.9mm

Altezza

0.9mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET dual in modalità potenziata a canale N DiodesZetex 30V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo pur mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è di 20 V con dissipazione di potenza termica di 0,88 W.

Bassa capacità di ingresso

Elevata velocità di commutazione

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