1 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 200 mΩ, 3.4 A 30 V, TSOT, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

348,00 €

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Codice RS:
206-0081
Codice costruttore:
DMN3061SVT-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

TSOT

Serie

DMN3061

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

200mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.08W

Tensione diretta Vf

0.7V

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.6 mm

Lunghezza

2.9mm

Altezza

0.9mm

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET dual in modalità potenziata a canale N DiodesZetex 30V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo pur mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è di 20 V con dissipazione di potenza termica di 0,88 W.

Bassa capacità di ingresso

Elevata velocità di commutazione

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