2 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo P, 0.3 Ω, 2.8 A 30 V, TSOT, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:
206-0117
Codice costruttore:
DMP3164LVT-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

2.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

TSOT

Serie

DMP3164

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.3Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.16W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-0.8V

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

2.8 mm

Altezza

1mm

Standard/Approvazioni

MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS

Lunghezza

2.9mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET dual a canale P in modalità potenziata DiodesZetex 30V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo pur mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è 12V con dissipazione di potenza termica di 0,83 W.

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità di ingresso

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