2 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo P, 0.3 Ω, 2.8 A 30 V, TSOT, Superficie Miglioramento, 6 Pin
- Codice RS:
- 206-0117
- Codice costruttore:
- DMP3164LVT-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
285,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,095 € | 285,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 206-0117
- Codice costruttore:
- DMP3164LVT-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2.8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | TSOT | |
| Serie | DMP3164 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.3Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | -0.8V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 4.4nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.16W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard/Approvazioni | MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS | |
| Lunghezza | 2.9mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2.8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package TSOT | ||
Serie DMP3164 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.3Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf -0.8V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 4.4nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.16W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1mm | ||
Standard/Approvazioni MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS | ||
Lunghezza 2.9mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET dual a canale P in modalità potenziata DiodesZetex 30V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo pur mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è 12V con dissipazione di potenza termica di 0,83 W.
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa capacità di ingresso
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