2 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo P, 0.3 Ω, 2.8 A 30 V, TSOT, Superficie Miglioramento, 6 Pin DMP3164LVT-7
- Codice RS:
- 206-0118
- Codice costruttore:
- DMP3164LVT-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 25 unità*
7,125 €
(IVA esclusa)
8,70 €
(IVA inclusa)
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili - Si prega di controllare più tardi
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,285 € | 7,13 € |
| 50 - 75 | 0,278 € | 6,95 € |
| 100 - 225 | 0,244 € | 6,10 € |
| 250 - 975 | 0,238 € | 5,95 € |
| 1000 + | 0,23 € | 5,75 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 206-0118
- Codice costruttore:
- DMP3164LVT-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2.8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | TSOT | |
| Serie | DMP3164 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.3Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.16W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 4.4nC | |
| Tensione diretta Vf | -0.8V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Lunghezza | 2.9mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard/Approvazioni | MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2.8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package TSOT | ||
Serie DMP3164 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.3Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.16W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 4.4nC | ||
Tensione diretta Vf -0.8V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Lunghezza 2.9mm | ||
Altezza 1mm | ||
Standard/Approvazioni MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET dual a canale P in modalità potenziata DiodesZetex 30V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo pur mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è 12V con dissipazione di potenza termica di 0,83 W.
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa capacità di ingresso
Link consigliati
- 2 MOSFET DiodesZetex Duale 0.3 Ω TSOT 6 Pin
- 2 MOSFET DiodesZetex Duale Tipo P 4.6 A 30 V Superficie Miglioramento, 6 Pin
- 2 MOSFET DiodesZetex Duale Tipo N 3.6 A 30 V Superficie Miglioramento, 6 Pin
- 2 MOSFET DiodesZetex Duale Tipo P 4 A 20 V Superficie Miglioramento, 6 Pin
- 2 MOSFET DiodesZetex Duale Tipo P 4 A 20 V Superficie Miglioramento, 6 Pin DMC2057UVT-7
- 1 MOSFET DiodesZetex Duale 200 mΩ TSOT 6 Pin
- 1 MOSFET DiodesZetex Duale 200 mΩ TSOT 6 Pin DMN3061SVT-7
- MOSFET DiodesZetex 65 mΩ Miglioramento 6 Pin Superficie
