2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo P, 168 mΩ, 5.2 A 20 V, TSOT, Superficie Miglioramento,
- Codice RS:
- 822-2508
- Codice costruttore:
- DMC2038LVT-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 confezione da 50 unità*
8,80 €
(IVA esclusa)
10,75 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- Più 400 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
- Più 92.400 unità in spedizione dal 12 gennaio 2026
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 50 + | 0,176 € | 8,80 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 822-2508
- Codice costruttore:
- DMC2038LVT-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N, Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 5.2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | TSOT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 168mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 5.7nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.1W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12 V | |
| Minima temperatura operativa | 150°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | -55°C | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Lunghezza | 2.95mm | |
| Larghezza | 1.65 mm | |
| Standard/Approvazioni | UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N, Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 5.2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package TSOT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 168mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 5.7nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.1W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12 V | ||
Minima temperatura operativa 150°C | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Temperatura massima di funzionamento -55°C | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Altezza 0.9mm | ||
Lunghezza 2.95mm | ||
Larghezza 1.65 mm | ||
Standard/Approvazioni UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET doppio a canale N/P, Diodes Inc.
Transistor MOSFET, Diodes Inc.
Link consigliati
- 2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato Tipo P 5.2 A 20 V Superficie Miglioramento,
- 2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato Tipo P 3.4 A 30 V Superficie Miglioramento,
- 2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato Tipo P 4.5 A 30 V Superficie Miglioramento,
- MOSFET DiodesZetex 65 mΩ Miglioramento 6 Pin Superficie
- MOSFET DiodesZetex 52 mΩ Miglioramento 6 Pin Superficie
- MOSFET DiodesZetex 65 mΩ Miglioramento 6 Pin Superficie DMP2067LVT-7
- MOSFET DiodesZetex 52 mΩ Miglioramento 6 Pin Superficie DMP2040UVT-7
- MOSFET DiodesZetex 41 mΩ Miglioramento 6 Pin Superficie
