2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo P, 140 mΩ, 3.4 A 30 V, TSOT, Superficie Miglioramento,

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
822-2532
Codice costruttore:
DMG6602SVT-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N, Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

3.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

TSOT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

140mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4nC

Tensione diretta Vf

0.8V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.27W

Minima temperatura operativa

150°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Lunghezza

2.9mm

Standard/Approvazioni

J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101

Larghezza

1.6 mm

Altezza

0.9mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET doppio a canale N/P, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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