MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 20 V, 65 mΩ Miglioramento, 4.2 A, 6 Pin, TSOT, Superficie DMP2067LVT-7
- Codice RS:
- 206-0109
- Codice costruttore:
- DMP2067LVT-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,324 € | 16,20 € |
| 100 - 200 | 0,285 € | 14,25 € |
| 250 - 450 | 0,278 € | 13,90 € |
| 500 - 950 | 0,27 € | 13,50 € |
| 1000 + | 0,263 € | 13,15 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 206-0109
- Codice costruttore:
- DMP2067LVT-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4.2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Serie | DMP2067 | |
| Tipo di package | TSOT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 65mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 8 V | |
| Tensione diretta Vf | -1.4V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 15nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.2W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 1.8mm | |
| Larghezza | 1.8 mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4.2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Serie DMP2067 | ||
Tipo di package TSOT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 65mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8 V | ||
Tensione diretta Vf -1.4V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 15nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.2W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 1.8mm | ||
Larghezza 1.8 mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET in modalità potenziata a canale P DiodesZetex 20V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo pur mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è di 8 V con dissipazione di potenza termica di 1,2 W.
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa capacità di ingresso
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