MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 20 V, 65 mΩ Miglioramento, 4.2 A, 6 Pin, TSOT, Superficie DMP2067LVT-7
- Codice RS:
- 206-0109
- Codice costruttore:
- DMP2067LVT-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 206-0109
- Codice costruttore:
- DMP2067LVT-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4.2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | TSOT | |
| Serie | DMP2067 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 65mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 15nC | |
| Tensione diretta Vf | -1.4V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.2W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 8 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 1.8 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 1.8mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4.2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package TSOT | ||
Serie DMP2067 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 65mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 15nC | ||
Tensione diretta Vf -1.4V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.2W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 1.8 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 1.8mm | ||
Altezza 1mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET in modalità potenziata a canale P DiodesZetex 20V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo pur mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è di 8 V con dissipazione di potenza termica di 1,2 W.
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa capacità di ingresso
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