Codice costruttore

MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 60 V, 130 mΩ Miglioramento, 4.2 A, 6 Pin, UDFN, Superficie

Codice RS:: 206-0134
Codice costruttore:: DMP6110SFDFQ-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 60 V, 130 mΩ Miglioramento, 4.2 A, 6 Pin, UDFN, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

570,00 €

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690,00 €

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Codice RS:: 206-0134
Codice costruttore:: DMP6110SFDFQ-7
Costruttore:: DiodesZetex

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	DiodesZetex
	Tipo di canale	Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	4.2A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Serie	DMP6110
	Tipo di package	UDFN
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	130mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	17.2nC
	Tensione diretta Vf	-1.2V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	0.76W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	0.57mm
	Lunghezza	1.95mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio DiodesZetex
	Tipo di canale Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 4.2A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Serie DMP6110
	Tipo di package UDFN
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 130mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 17.2nC
	Tensione diretta Vf -1.2V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 0.76W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 0.57mm
	Lunghezza 1.95mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - DMP6110SFDFQ-7

Paese di origine:: CN

Il MOSFET in modalità potenziata a canale P a 6 pin 60V DiodesZetex è progettato per soddisfare i severi requisiti delle applicazioni automobilistiche. È qualificato per AEC-Q101, supportato da PPAP, ed è ideale per l'uso nelle funzioni di gestione dell'alimentazione e applicazioni di gestione della batteria. La sua tensione gate-sorgente è di 20V con dissipazione di potenza termica di 0,76 W.

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità di ingresso

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