MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 60 V, 130 mΩ Miglioramento, 4.2 A, 6 Pin, UDFN, Superficie DMP6110SFDFQ-7

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
206-0135
Codice costruttore:
DMP6110SFDFQ-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

4.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

DMP6110

Tipo di package

UDFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

130mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17.2nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

-1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

0.76W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

1.95mm

Altezza

570μm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.95mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET in modalità potenziata a canale P a 6 pin 60V DiodesZetex è progettato per soddisfare i severi requisiti delle applicazioni automobilistiche. È qualificato per AEC-Q101, supportato da PPAP, ed è ideale per l'uso nelle funzioni di gestione dell'alimentazione e applicazioni di gestione della batteria. La sua tensione gate-sorgente è di 20V con dissipazione di potenza termica di 0,76 W.

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità di ingresso

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