2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo P, 190 mΩ, 4.5 A 30 V, TSOT, Superficie Miglioramento,

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
823-2915
Codice costruttore:
DMG6601LVT-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N, Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

4.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

TSOT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.3W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Tensione diretta Vf

0.75V

Minima temperatura operativa

150°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.4nC

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Altezza

0.9mm

Larghezza

1.6 mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0

Lunghezza

2.9mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET doppio a canale N/P, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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