MOSFET Vishay, canale N, 2,3 mΩ, 60 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

60 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

2,3 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.5V

Tensione di soglia gate minima

1.2V

Dissipazione di potenza massima

83 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Carica gate tipica @ Vgs

87 nC a 10 V

Lunghezza

6.25mm

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

5.26mm

Altezza

1.12mm

Tensione diretta del diodo

1.1V

Minima temperatura operativa

-55 °C