MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 3.75 mΩ Depletion, 93.6 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SIR188LDP-T1-RE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
239-8644
Codice costruttore:
SIR188LDP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

93.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.75mΩ

Modalità canale

Depletion

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Larghezza

5.15 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Vishay TrenchFET® è un MOSFET a canale N di potenza Gen IV che funziona a 60 V. Questo MOSFET viene utilizzato per interruttori laterali primari, interruttori per l'azionamento dei motori e la rettifica sincrona.

Testato UIS

resistenza molto bassa

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