MOSFET Nexperia, canale N, P, 2,8 Ω, 7,8 Ω, 200 mA, 350 mA, SOT-363 (SC-88), Montaggio superficiale

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Codice RS:
136-2144
Codice costruttore:
NX3008CBKS,115
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

N, P

Corrente massima continuativa di drain

200 mA, 350 mA

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

SOT-363 (SC-88)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

6

Resistenza massima drain source

2,8 Ω, 7,8 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

1.1V

Tensione di soglia gate minima

0.6V

Dissipazione di potenza massima

990 mW

Tensione massima gate source

-8 V, +8 V

Lunghezza

2.2mm

Materiale del transistor

Si

Carica gate tipica @ Vgs

0,52 nC a 4,5 V, 0,55 nC a 4,5 V

Larghezza

1.35mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

2

Tensione diretta del diodo

1.2V

Altezza

1mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Standard per uso automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
I MOSFET del nostro ampio portafoglio di dispositivi sono solidi e facili da usare nella gamma da 40 V a 60 V. Sono perfetti per applicazioni con criticità di spazio e alimentazione e forniscono eccellenti prestazioni di commutazione e SOA (safe operating area)

Contenitore senza cavi di dimensioni estremamente ridotte 1006 SOT883 (SC-101)
Ampia scelta di opzioni di contenitore SMD e con cavi
Ampia gamma di funzioni doppie e singole
Oltre 300 prodotti diversi

Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N/P complementari in un piccolissimo contenitore in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) SOT363 (SC-88) che utilizza la tecnologia MOSFET Trench

Bassa tensione di soglia
Commutazione rapidissima
Tecnologia MOSFET Trench
Protezione ESD fino a 2
Qualifica AEC-Q101

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