MOSFET Nexperia, canale N, P, 2,8 Ω, 7,8 Ω, 200 mA, 350 mA, SOT-363 (SC-88), Montaggio superficiale

I MOSFET del nostro ampio portafoglio di dispositivi sono solidi e facili da usare nella gamma da 40 V a 60 V. Sono perfetti per applicazioni con criticità di spazio e alimentazione e forniscono eccellenti prestazioni di commutazione e SOA (safe operating area)

Contenitore senza cavi di dimensioni estremamente ridotte 1006 SOT883 (SC-101)
Ampia scelta di opzioni di contenitore SMD e con cavi
Ampia gamma di funzioni doppie e singole
Oltre 300 prodotti diversi

Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N/P complementari in un piccolissimo contenitore in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) SOT363 (SC-88) che utilizza la tecnologia MOSFET Trench

Bassa tensione di soglia
Commutazione rapidissima
Tecnologia MOSFET Trench
Protezione ESD fino a 2
Qualifica AEC-Q101