MOSFET onsemi, canale Tipo N 250 V, 41 mΩ Miglioramento, 69 A, 3 Pin, TO-3PN, Foro passante

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Codice RS:
145-4400
Codice costruttore:
FDA69N25
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

69A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Serie

UniFET

Tipo di package

TO-3PN

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

41mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.4V

Dissipazione di potenza massima Pd

480W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

77nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5mm

Altezza

20.1mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

15.8mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N UniFET™, Fairchild Semiconductor


Il MOSFET UniFET™ è una famiglia di MOSFET ad alta tensione di Fairchild Semiconductor. Presenta la più piccola resistenza in stato attivo fra i MOSFET planari e fornisce inoltre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore resistenza all'energia dell'effetto valanga. Inoltre, il diodo ESD gate-sorgente interno consente al MOSFET UniFET-II™ di sopportare sollecitazioni da sovratensioni HBM di oltre 2000 V.

I MOSFET UniFET™ sono adatti per le applicazioni con convertitori di potenza switching, come la correzione del fattore di potenza (PFC), alimentazione TV di display a schermo piatto (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) e resistenze elettroniche per lampade.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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