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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	43.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	300V
	Serie	QFET
	Tipo di package	TO-3PN
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	69mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	310W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	12nC
	Tensione diretta Vf	1.5V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	20.1mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	15.8mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 43.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 300V
	Serie QFET
	Tipo di package TO-3PN
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 69mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 310W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12nC
	Tensione diretta Vf 1.5V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 20.1mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 15.8mm
	Standard automobilistico No

MOSFET a canale N QFET®, oltre 31 A, Fairchild Semiconductor

I nuovi MOSFET planari QFET® FairField Semiconductor utilizzano una tecnologia avanzata e proprietaria per offrire le migliori prestazioni operative della classe per un'ampia gamma di applicazioni, tra cui alimentatori, PFC (correzione del fattore di potenza), convertitori c.c.-c.c., pannelli display al plasma (PDP), ballast di illuminazione e controllo del movimento.

Offrono una perdita di stato on ridotta riducendo la resistenza di on (RDS(on)), e una perdita di commutazione ridotta riducendo la carica del gate (Qg) e la capacità di uscita (Coss). Utilizzando la tecnologia di processo QFET® avanzata, Fairchild è in grado di offrire una cifra di merito (FOM) migliorata rispetto ai dispositivi MOSFET Planar concorrenti.

Transistor MOSFET, ON Semi

I MOSFET semi-ON forniscono un'affidabilità di progettazione superiore, dai picchi di tensione ridotti e dall'eccesso di sovratensione, alla capacità di giunzione più bassa e alla carica di recupero inverso, all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi in funzione e funzionanti più a lungo.

MOSFET onsemi, canale Tipo N 300 V, 69 mΩ Miglioramento, 43.5 A, 3 Pin, TO-3PN, Foro passante FQA44N30

MOSFET a canale N QFET®, oltre 31 A, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

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