MOSFET onsemi, canale Tipo N 600 V, 240 mΩ Miglioramento, 23 A, 3 Pin, TO-3PN, Foro passante

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Codice RS:
145-5360
Codice costruttore:
FQA24N60
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

23A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

QFET

Tipo di package

TO-3PN

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

240mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.4V

Dissipazione di potenza massima Pd

310W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

110nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

18.9mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

15.8mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N QFET®, da 11 a 30 A, Fairchild Semiconductor


I nuovi MOSFET planari QFET® di Fairchild Semiconductor adottano un'avanzata tecnologia brevettata al fine di offrire le migliori prestazioni operative della categoria per un'ampia gamma di applicazioni, tra cui alimentatori, correzione del fattore di potenza (PFC), convertitori c.c.-c.c., display al plasma (PDP), resistenze di illuminazione, e controllo del movimento.

Garantiscono ridotte perdite allo stato attivo grazie a una minore resistenza (RDS(on)) e ridotte perdite di commutazione grazie a una minore carica di gate (Qg) e capacità di uscita (Coss). L'avanzata tecnologia di processo QFET® consente a Fairchild di offrire un migliore fattore di merito (FOM) rispetto ai dispositivi MOSFET planari della concorrenza.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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