MOSFET Infineon, canale N, 199 mΩ, 16 A, TO-220 FP, Su foro

Codice RS:: 145-9321
Codice costruttore:: IPA60R199CPXKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 199 mΩ, 16 A, TO-220 FP, Su foro

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Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)**

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Unità	Per unità	Per Tubo**
50 - 50	2,854 €	142,70 €
100 - 200	2,625 €	131,25 €
250 +	2,483 €	124,15 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 145-9321
Codice costruttore:: IPA60R199CPXKSA1
Costruttore:: Infineon

IPA60R199CP, CoolMOS Power MOSFET Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	16 A
Tensione massima drain source	650 V
Serie	CoolMOS CP
Tipo di package	TO-220 FP
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	199 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Tensione di soglia gate minima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	34 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	32 nC a 10 V
Lunghezza	10.65mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	4.85mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	16.15mm
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET Infineon, canale N, 199 mΩ, 16 A, TO-220 FP, Su foro

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MOSFET di potenza Infineon CoolMOS™CP

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