MOSFET IXYS, canale N, 360 mΩ, 22 A, TO-220AB, Su foro

Name: MOSFET IXYS, canale N, 360 mΩ, 22 A, TO-220AB, Su foro
Brand: IXYS
SKU: 146-1747
Price: 5.62 EUR
Availability: OutOfStock

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Aggiunto

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)

4,605 €

(IVA esclusa)

5,618 €

(IVA inclusa)

Documentazione Tecnica

Gamma di MOSFET di potenza a canale N serie Polar3™ IXYS con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™)

Transistor MOSFET, IXYS

Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	22 A
Tensione massima drain source	600 V
Tipo di package	TO-220AB
Serie	HiperFET, Polar3
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	360 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Dissipazione di potenza massima	500 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Larghezza	4.83mm
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	10.66mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	38 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Altezza	16mm
Minima temperatura operativa	-55 °C