MOSFET IXYS, canale N, 360 mΩ, 22 A, TO-220AB, Su foro

Name: MOSFET IXYS, canale N, 360 mΩ, 22 A, TO-220AB, Su foro
Brand: IXYS
SKU: 802-4427
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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	22 A
Tensione massima drain source	600 V
Tipo di package	TO-220AB
Serie	HiperFET, Polar3
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	360 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Dissipazione di potenza massima	500 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	38 nC a 10 V
Larghezza	4.83mm
Lunghezza	10.66mm
Numero di elementi per chip	1
Altezza	16mm
Minima temperatura operativa	-55 °C