Codice costruttore

MOSFET onsemi, canale N 150 V, 54 mΩ Miglioramento, 4 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Codice RS:: 146-1963
Codice costruttore:: FDP2572
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N 150 V, 54 mΩ Miglioramento, 4 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:: 146-1963
Codice costruttore:: FDP2572
Costruttore:: onsemi

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Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	150V
	Serie	PowerTrench
	Tipo di package	TO-220
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	54mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	26nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Tensione diretta Vf	1.25V
	Dissipazione di potenza massima Pd	135W
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	4.83mm
	Lunghezza	10.67mm
	Altezza	9.4mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V
	Serie PowerTrench
	Tipo di package TO-220
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 54mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 26nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Tensione diretta Vf 1.25V
	Dissipazione di potenza massima Pd 135W
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 4.83mm
	Lunghezza 10.67mm
	Altezza 9.4mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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