MOSFET IXYS, canale Tipo N 650 V, 38 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IXFH80N65X2

Prezzo per 1 tubo da 30 unità*

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Codice RS:
146-4236
Codice costruttore:
IXFH80N65X2
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-247

Serie

HiperFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

38mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

890W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Tensione diretta Vf

1.4V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

140nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

21.34mm

Larghezza

5.21 mm

Lunghezza

16.13mm

Standard/Approvazioni

No

Distrelec Product Id

304-30-535

Standard automobilistico

No

Bassa resistenza RDS(ON) e QG

Diodo rapido

Resistenza dv/dt

Classificazione Avalanche

Contenitore a bassa induttanza

Contenitori standard internazionali

Alimentatori switching risonanti

Scarica ad alta intensità (HID) e resistenza delle lampadine

Azionamenti per motori c.a. e c.c.

Convertitori cc-cc

Robotica e controllo servo

Caricabatterie

Inverter solari a 3 livelli

Illuminazione a LED

Veicoli aerei senza equipaggio (UAV)

Maggiore efficienza

Alta densità di potenza

Facile da montare

Risparmio di spazio

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