MOSFET IXYS, canale N, 38 mΩ, 80 A, TO-247, Su foro

La serie di MOSFET di potenza HiPerFET classe X2 IXYS offre una carica significativamente ridotta su resistenza e di gate rispetto alle precedenti generazioni di MOSFET di potenza, per minori perdite e una maggiore efficienza operativa. Questi robusti dispositivi incorporano un diodo intrinseco migliorato ad alta velocità e sono adatti per le applicazioni sia con modalità di commutazione hard che di risonanza. I MOSFET di potenza di classe X2 sono disponibili in una varietà di contenitori standard industriali, inclusi i tipi isolati con valori nominali fino a 120 A a 650 V. Le applicazioni tipiche includono: convertitori c.c./c.c., azionamenti per motori c.a e c.c., alimentatori switching e con modalità di risonanza, chopper c.c., inverter solari, controllo della temperatura e dell'illuminazione.

RDS(on) e QG (carica gate) molto ridotti
Diodo raddrizzatore intrinseco rapido
Bassa resistenza di gate intrinseca
Contenitore a bassa induttanza
Contenitori conformi allo standard industriale

Bassa resistenza RDS(ON) e QG
Diodo rapido
Resistenza dv/dt
Classificazione Avalanche
Contenitore a bassa induttanza
Contenitori standard internazionali
Alimentatori switching risonanti
Scarica ad alta intensità (HID) e resistenza delle lampadine
Azionamenti per motori c.a. e c.c.
Convertitori cc-cc
Robotica e controllo servo
Caricabatterie
Inverter solari a 3 livelli
Illuminazione a LED
Veicoli aerei senza equipaggio (UAV)
Maggiore efficienza
Alta densità di potenza
Facile da montare
Risparmio di spazio

Transistor MOSFET, IXYS

Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS