MOSFET IXYS, canale Tipo N 250 V, 16 mΩ Miglioramento, 80 A, 4 Pin, TO-220, Foro passante

IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS), produttore globale di semiconduttori di potenza e circuiti integrati (IC) per l'efficienza energetica, la gestione dell'alimentazione, applicazioni nei trasporti, mediche e di controllo motori, ha introdotto una nuova linea di semiconduttori di potenza: i MOSFET di potenza HiPerFET™ Ultra-Junction X3-Class a 250 V. Con resistenze in stato attivo e cariche di gate fino a 4,5 milliohm e 21 nanocoulombs rispettivamente, questi dispositivi consentono le massime densità di potenza ed efficienza energetica in un'ampia varietà di applicazioni di conversione di potenza ad alta velocità. Sviluppati utilizzando un principio di compensazione di carica e tecnologia proprietaria di processo, i MOSFET offrono il migliore fattore di merito della categoria (resistenza in stato attivo moltiplicato per la carica di gate), che si traduce nella conduzione più bassa e perdite di commutazione. Presentano le resistenze in stato attivo più basse del settore (5 milliohm nel contenitore TO264 e 4,5 milliohm nel SOT-227, per esempio). I diodi rapidi a corpo intrinseco HiPerFETs™ dei MOSFET mostrano un recupero attenuato, riducendo al minimo overshoot di tensione e interferenze elettromagnetiche (EMI), soprattutto in topologie half o full-bridge. Con una carica e tempi di recupero inverso ridotti, i diodi sono in grado di rimuovere tutte le energie residue durante la commutazione ad alta velocità per evitare guasti del dispositivo e ottenere un'elevata efficienza. Inoltre, questi nuovi dispositivi possono essere disposti con effetto valanga e presentano eccellenti prestazioni dv/dt. Resistono contro guasti del dispositivo causati da picchi di tensione e l'accensione accidentale di transistor bipolari parassiti inerenti alla struttura del MOSFET. Come tali, questi robusti dispositivi richiedono un minor numero di circuiti di protezione e possono essere utilizzati in convertitori di potenza di commutazione sia di tipo soft sia hard. Applicazioni particolarmente adatte includono caricabatterie per veicoli elettrici leggeri (LEV), rettifica sincrona in alimentatori switching, controllo di motori, convertitori c.c.-c.c., gruppi di continuità, carrelli elevatori elettrici, amplificatori audio di classe D e sistemi di telecomunicazione. I nuovi MOSFET di potenza X3-Class da 250 V con diodi del corpo HiPerFET™ sono disponibili nei seguenti contenitori di dimensioni standard internazionali: TO-3P, TO-220 (sovrastampato e standard), TO-247, PLUS247, TO-252, TO-263, TO-264, TO-268HV, SOT-227. Alcuni codici di esempio includono IXFA60N25X3, IXFP80N25X3, IXFT170N25X3HV e IXFK240N25X3, con valori nominali di 60 A, 80 A, 170 A e 240 A, rispettivamente.

RDS(ON) resistenza più bassa in stato attivo e Qg di carica del gate