MOSFET Vishay, canale Tipo P 60 V, 28 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 146-4447
- Codice Distrelec:
- 303-97-245
- Codice costruttore:
- SUD50P06-15-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*
2264,00 €
(IVA esclusa)
2762,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 24 marzo 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 1,132 € | 2.264,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 146-4447
- Codice Distrelec:
- 303-97-245
- Codice costruttore:
- SUD50P06-15-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 50A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | SUD50P06-15 | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 28mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | -1.6V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 110nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 113W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Altezza | 2.38mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 50A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie SUD50P06-15 | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 28mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf -1.6V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 110nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 113W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Altezza 2.38mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza TrenchFET®
Link consigliati
- MOSFET Vishay 28 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie SUD50P06-15-GE3
- MOSFET Vishay 10 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 10 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie SUD50P04-08-GE3
- MOSFET Renesas Electronics 370 mΩ DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
- MOSFET STMicroelectronics 28 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET STMicroelectronics 160 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 400 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 500 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
