MOSFET Wolfspeed, canale Tipo N 1 kV, 170 mΩ Miglioramento, 22 A, 8 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 150-3965P
- Codice costruttore:
- C3M0120100J
- Costruttore:
- Wolfspeed
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- 150-3965P
- Codice costruttore:
- C3M0120100J
- Costruttore:
- Wolfspeed
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Wolfspeed | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 22A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1kV | |
| Serie | C3M | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 170mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 4.8V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 21.5nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 83W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 9 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 9.12 mm | |
| Lunghezza | 10.23mm | |
| Altezza | 4.32mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Wolfspeed | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 22A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1kV | ||
Serie C3M | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 170mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 4.8V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 21.5nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 83W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 9 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 9.12 mm | ||
Lunghezza 10.23mm | ||
Altezza 4.32mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Wolfspeed introduce la sua più recente innovazione per quanto riguarda la tecnologia dei dispositivi di potenza SiC con l’unico MOSFET SiC a 1 kV del settore in un nuovo contenitore ottimizzato adatto per i dispositivi di commutazione rapida. Ottimizzato per sistemi di ricarica dei veicoli elettrici e alimentatori industriali trifase, il nuovo dispositivo a 1 kV vince molte sfide di progettazione di potenza offre un esclusivo dispositivo con bassa resistenza in stato attivo, capacità di uscita molto bassa e bassa induttanza di sorgente per una perfetta combinazione di basse perdite di commutazione e basse perdite di conduzione.
Minimo di 1 kV Vbr in tutta la gamma di temperature d'esercizio
Contenitore a bassa induttanza di sorgente con pin sorgente di driver separato
Commutazione ad alta velocità con bassa capacità di uscita
Elevata tensione di bloccaggio con bassa RDS (on)
Diodo intrinseco rapido con basso recupero inverso (Qrr)
Facili da azionare in parallelo o in modalità semplice