MOSFET Nexperia, canale N, 192 mΩ, 12,8 A, LFPAK33, Montaggio superficiale

Codice RS:: 153-0662
Codice costruttore:: BUK9M85-60EX
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 192 mΩ, 12,8 A, LFPAK33, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 153-0662
Codice costruttore:: BUK9M85-60EX
Costruttore:: Nexperia

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	12,8 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	LFPAK33
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	192 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.45V
Tensione di soglia gate minima	0.5V
Dissipazione di potenza massima	31 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	15 V
Carica gate tipica @ Vgs	4,4 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	3.4mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Larghezza	2.6mm
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Altezza	0.9mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Nexperia, canale N, 192 mΩ, 12,8 A, LFPAK33, Montaggio superficiale

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