MOSFET International Rectifier, canale N, 80 mΩ, 4,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo 20 V in contenitore Micro 3

Piedinatura standard industriale del contenitore SOT-23
Compatibile con le tecniche esistenti di montaggio superficiale senza alogeni
Compatibilità multi-vendor
Produzione più semplice
Più ecologico
Maggiore affidabilità

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.