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    MOSFET Wolfspeed, canale N, 9,8 mΩ, 404 A, Half Bridge, Montaggio a vite

    Wolfspeed
    Codice RS:
    162-9721
    Codice costruttore:
    CAS300M12BM2
    Costruttore:
    Wolfspeed
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    Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 4 giorni lavorativi a partire dal 25/01/2024.
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    *prezzo indicativo
    Codice RS:
    162-9721
    Codice costruttore:
    CAS300M12BM2
    Costruttore:
    Wolfspeed

    Normative

    Paese di origine:
    CN

    Dettagli prodotto

    Moduli di potenza MOSFET in carburo di silicio Wolfspeed


    Moduli di potenza MOSFET al carburo di silicio da Wolfspeed, la divisione di potenza di Cree Inc. Questi moduli SiC MOSFET sono alloggiati in contenitori standard industriali e sono disponibili nei formati half-bridge (2 MOSFET) e a 3 fasi (6 MOSFET); sono inoltre dotati di diodi di ripristino inverso SiC. Le applicazioni tipiche includono: riscaldamento ad induzione, inverter fotovoltaici ed eolici, convertitori c.c.-c.c., trifase PFC, azionamenti per rigenerazione della linea, UPS e SMPS, azionamenti per motori e caricabatterie.

    • I MOSFET interrompono la corrente di coda e la corrente di recupero a diodo inverso sono effettivamente zero.
    • Funzionamento ad alta frequenza con perdita molto bassa
    • Facilità di collegamento in parallelo grazie alle caratteristiche SiC
    • Funzionamento normalmente spento, funzionamento fail-safe
    • La piastra di base in rame e l'isolante in nitruro di alluminio riducono i requisiti termici


    Transistor MOSFET, Wolfspeed

    Specifiche

    Attributo
    Valore
    Tipo di canaleN
    Corrente massima continuativa di drain404 A
    Tensione massima drain source1200 V
    Tipo di packageHalf Bridge
    Tipo di montaggioMontaggio a vite
    Numero pin7
    Resistenza massima drain source9,8 mΩ
    Modalità del canaleEnhancement
    Tensione di soglia gate massima2.3V
    Tensione di soglia gate minima1.8V
    Dissipazione di potenza massima1,66 kW
    Configurazione transistorSerie
    Tensione massima gate source-10 V, +25 V
    Materiale del transistorSiC
    Lunghezza106.4mm
    Massima temperatura operativa+150 °C
    Numero di elementi per chip2
    Larghezza61.4mm
    Carica gate tipica @ Vgs1025 nC a 20 V, 1025 nC a 5 V
    Altezza30mm
    Tensione diretta del diodo2.5V
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