MOSFET Wolfspeed, canale N, 75 mΩ, 30 A, TO-263-7, Montaggio superficiale

Wolfspeed estende la sua leadership nella tecnologia SiC introducendo la tecnologia MOSFET SiC Advanced nel nuovo contenitore discreto a bassa induttanza. I pacchetti appena rilasciati consentono agli ingegneri di sfruttare appieno la capacità ad alta frequenza dei più recenti chip MOSFET planari C3MTM. I progettisti possono ridurre il numero di componenti passando da topologie a tre livelli basate su silicio a topologie a due livelli più semplici rese possibili dalle migliori prestazioni di commutazione. Questo dispositivo è dotato di bassa resistenza all'accensione combinata con una bassa carica del gate, il che lo rende ideale per topologie PFC trifase, bridgeless, nonché per convertitori e caricabatterie CA-CA.

Minimo di 1200V Vbr per l'intera gamma di temperature di esercizio
Nuovo contenitore a bassa impedenza con sorgente driver
>7mm di dispersione/gioco tra scarico e sorgente
Commutazione ad alta velocità con bassa capacità di uscita
Elevata tensione di bloccaggio con bassa RDS (on)
Diodo intrinseco rapido con basso recupero inverso (Qrr)
Facili da azionare in parallelo o in modalità semplice