MOSFET Wolfspeed, canale Tipo N 1 kV, 170 mΩ Miglioramento, 22 A, 8 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 150-3947
- Codice costruttore:
- C3M0120100J
- Costruttore:
- Wolfspeed
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 100 | 11,822 € | 591,10 € |
| 150 - 200 | 11,361 € | 568,05 € |
| 250 + | 11,089 € | 554,45 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 150-3947
- Codice costruttore:
- C3M0120100J
- Costruttore:
- Wolfspeed
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Wolfspeed | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 22A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1kV | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | C3M | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 170mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 4.8V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 21.5nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 83W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.23mm | |
| Altezza | 4.32mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Wolfspeed | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 22A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1kV | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie C3M | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 170mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 4.8V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 21.5nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 83W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.23mm | ||
Altezza 4.32mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Wolfspeed introduce la sua più recente innovazione per quanto riguarda la tecnologia dei dispositivi di potenza SiC con lunico MOSFET SiC a 1 kV del settore in un nuovo contenitore ottimizzato adatto per i dispositivi di commutazione rapida. Ottimizzato per sistemi di ricarica dei veicoli elettrici e alimentatori industriali trifase, il nuovo dispositivo a 1 kV vince molte sfide di progettazione di potenza offre un esclusivo dispositivo con bassa resistenza in stato attivo, capacità di uscita molto bassa e bassa induttanza di sorgente per una perfetta combinazione di basse perdite di commutazione e basse perdite di conduzione.
Minimo di 1 kV Vbr in tutta la gamma di temperature d'esercizio
Contenitore a bassa induttanza di sorgente con pin sorgente di driver separato
Commutazione ad alta velocità con bassa capacità di uscita
Elevata tensione di bloccaggio con bassa RDS (on)
Diodo intrinseco rapido con basso recupero inverso (Qrr)
Facili da azionare in parallelo o in modalità semplice
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