MOSFET Wolfspeed, canale Tipo N 900 V, 120 mΩ Miglioramento, 22 A, 7 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 192-3492
- Codice costruttore:
- C3M0120090J
- Costruttore:
- Wolfspeed
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- Codice RS:
- 192-3492
- Codice costruttore:
- C3M0120090J
- Costruttore:
- Wolfspeed
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Wolfspeed | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 22A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 900V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | C3M | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 120mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 18 V | |
| Tensione diretta Vf | 4.8V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 83W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 17.3nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 4.57mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.23mm | |
| Larghezza | 9.12 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Wolfspeed | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 22A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 900V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie C3M | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 120mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 18 V | ||
Tensione diretta Vf 4.8V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 83W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 17.3nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 4.57mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.23mm | ||
Larghezza 9.12 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Wolfspeed introduce la sua ultima innovazione nella tecnologia dei dispositivi di potenza SiC: La prima piattaforma MOSFET a 900 V. Ottimizzata per applicazioni di elettronica di potenza ad alta frequenza, tra cui inverter a energia rinnovabile, sistemi di ricarica per veicoli elettrici e alimentatori industriali trifase, la nuova piattaforma da 900 V consente di realizzare sistemi di conversione di potenza di nuova generazione più piccoli e ad alta efficienza a parità di costo con soluzioni basate su silicio.
Nuovo contenitore a bassa impedenza con sorgente driver
Commutazione ad alta velocità con capacità basse
Elevata tensione di bloccaggio con bassa RDS (on)
Resistenza alle valanghe
Diodo intrinseco rapido con basso recupero inverso (Qrr)
Facili da azionare in parallelo o in modalità semplice
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