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    MOSFET Wolfspeed, canale N, 78 mΩ, 35 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

    Wolfspeed
    Codice RS:
    162-9713
    Codice costruttore:
    C3M0065090J
    Costruttore:
    Wolfspeed
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    200 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
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    Prezzo per Each (In a Tube of 50)

    € 14,306

    (IVA esclusa)

    € 17,453

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    *prezzo indicativo
    Codice RS:
    162-9713
    Codice costruttore:
    C3M0065090J
    Costruttore:
    Wolfspeed

    Documentazione Tecnica


    Normative

    Paese di origine:
    CN

    Dettagli prodotto

    MOSFET di potenza in carburo di silicio Wolfspeed


    MOSFET di potenza in carburo di silicio Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Wolfspeed. Una gamma di MOSFET SiC di seconda generazione prodotta da Wolfspeed, la divisione di potenza di Cree, in grado di erogare densità di potenza ed efficienza di commutazione leader nel settore. Questi dispositivi a bassa capacità consentono frequenze di commutazione più alte e presentano minori requisiti di raffreddamento che migliorano l'efficienza operativa totale del sistema.

    • Tecnologia SiC a canale N in modalità potenziata
    • Tensione di scarica distruttiva elevata drain-source: fino a 1200 V
    • Dispositivi multipli sono facili da azionare in parallelo o in modalità semplice
    • Commutazione ad alta velocità con bassa resistenza all'accensione
    • Funzionamento resistente a latch-up


    Transistor MOSFET, Wolfspeed

    Specifiche

    Attributo
    Valore
    Tipo di canaleN
    Corrente massima continuativa di drain35 A
    Tensione massima drain source900 V
    Tipo di packageD2PAK (TO-263)
    Tipo di montaggioMontaggio superficiale
    Numero pin7
    Resistenza massima drain source78 mΩ
    Modalità del canaleEnhancement
    Tensione di soglia gate massima2.1V
    Tensione di soglia gate minima1.8V
    Dissipazione di potenza massima113 W
    Configurazione transistorSingolo
    Tensione massima gate source+25 V
    Larghezza10.99mm
    Lunghezza10.23mm
    Materiale del transistorSiC
    Carica gate tipica @ Vgs30 nC a 15 V
    Massima temperatura operativa+150 °C
    Numero di elementi per chip1
    Minima temperatura operativa-55 °C
    Altezza4.57mm
    Tensione diretta del diodo4.4V
    200 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
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    € 14,306

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