MOSFET Wolfspeed, canale N, 78 mΩ, 35 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 162-9713
- Codice costruttore:
- C3M0065090J
- Costruttore:
- Wolfspeed
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Prezzo per Each (In a Tube of 50)
€ 14,306
(IVA esclusa)
€ 17,453
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per stecca* |
| 50 + | € 14,306 | € 715,30 |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 162-9713
- Codice costruttore:
- C3M0065090J
- Costruttore:
- Wolfspeed
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
MOSFET di potenza in carburo di silicio Wolfspeed
MOSFET di potenza in carburo di silicio Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Wolfspeed. Una gamma di MOSFET SiC di seconda generazione prodotta da Wolfspeed, la divisione di potenza di Cree, in grado di erogare densità di potenza ed efficienza di commutazione leader nel settore. Questi dispositivi a bassa capacità consentono frequenze di commutazione più alte e presentano minori requisiti di raffreddamento che migliorano l'efficienza operativa totale del sistema.
• Tecnologia SiC a canale N in modalità potenziata
• Tensione di scarica distruttiva elevata drain-source: fino a 1200 V
• Dispositivi multipli sono facili da azionare in parallelo o in modalità semplice
• Commutazione ad alta velocità con bassa resistenza all'accensione
• Funzionamento resistente a latch-up
• Tensione di scarica distruttiva elevata drain-source: fino a 1200 V
• Dispositivi multipli sono facili da azionare in parallelo o in modalità semplice
• Commutazione ad alta velocità con bassa resistenza all'accensione
• Funzionamento resistente a latch-up
Transistor MOSFET, Wolfspeed
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 35 A |
| Tensione massima drain source | 900 V |
| Tipo di package | D2PAK (TO-263) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 7 |
| Resistenza massima drain source | 78 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 2.1V |
| Tensione di soglia gate minima | 1.8V |
| Dissipazione di potenza massima | 113 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | +25 V |
| Larghezza | 10.99mm |
| Lunghezza | 10.23mm |
| Materiale del transistor | SiC |
| Carica gate tipica @ Vgs | 30 nC a 15 V |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
| Altezza | 4.57mm |
| Tensione diretta del diodo | 4.4V |