MOSFET Wolfspeed, canale Tipo N 900 V, 280 mΩ Miglioramento, 11 A, 7 Pin, TO-263, Superficie C3M0280090J
- Codice RS:
- 192-3382
- Codice costruttore:
- C3M0280090J
- Costruttore:
- Wolfspeed
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|---|---|---|
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- Codice RS:
- 192-3382
- Codice costruttore:
- C3M0280090J
- Costruttore:
- Wolfspeed
Specifiche
Documentazione Tecnica
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Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Wolfspeed | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 11A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 900V | |
| Serie | C3M | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 280mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 18 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 50W | |
| Tensione diretta Vf | 4.8V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 10nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 10.23mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 9.12 mm | |
| Altezza | 4.57mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Wolfspeed | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 11A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 900V | ||
Serie C3M | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 280mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 18 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 50W | ||
Tensione diretta Vf 4.8V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 10nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 10.23mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 9.12 mm | ||
Altezza 4.57mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Wolfspeed introduce la sua ultima innovazione nella tecnologia dei dispositivi di potenza SiC: La prima piattaforma MOSFET a 900 V. Ottimizzata per applicazioni di elettronica di potenza ad alta frequenza, tra cui inverter a energia rinnovabile, sistemi di ricarica per veicoli elettrici e alimentatori industriali trifase, la nuova piattaforma da 900 V consente di realizzare sistemi di conversione di potenza di nuova generazione più piccoli e ad alta efficienza a parità di costo con soluzioni basate su silicio.
Nuovo contenitore a bassa impedenza con sorgente driver
Commutazione ad alta velocità con capacità basse
Elevata tensione di bloccaggio con bassa RDS (on)
Resistenza alle valanghe
Diodo intrinseco rapido con basso recupero inverso (Qrr)
Facili da azionare in parallelo o in modalità semplice
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