Codice costruttore

MOSFET Wolfspeed, canale N 1700 V, 1.4 Ω Miglioramento, 5.3 A, 7 Pin, TO-263, Superficie C2M1000170J

Codice RS:: 915-8833
Codice costruttore:: C2M1000170J
Costruttore:: Wolfspeed

MOSFET Wolfspeed, canale N 1700 V, 1.4 Ω Miglioramento, 5.3 A, 7 Pin, TO-263, Superficie C2M1000170J

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Codice RS:: 915-8833
Codice costruttore:: C2M1000170J
Costruttore:: Wolfspeed

Specifiche

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Wolfspeed
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	5.3A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	1700V
	Tipo di package	TO-263
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	7
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.4Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-10V, +25V
	Tensione diretta Vf	3.8V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	13nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	78W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	10.23mm
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	10.99mm
	Altezza	4.57mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Wolfspeed
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 5.3A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1700V
	Tipo di package TO-263
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 7
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.4Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -10V, +25V
	Tensione diretta Vf 3.8V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 78W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 10.23mm
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 10.99mm
	Altezza 4.57mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET di potenza in carburo di silicio Wolfspeed

MOSFET di potenza in carburo di silicio Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Wolfspeed. Una gamma di MOSFET SiC di seconda generazione prodotta da Wolfspeed, la divisione di potenza di Cree, in grado di erogare densità di potenza ed efficienza di commutazione leader nel settore. Questi dispositivi a bassa capacità consentono frequenze di commutazione più alte e presentano minori requisiti di raffreddamento che migliorano l'efficienza operativa totale del sistema.

• Tecnologia SiC a canale N in modalità potenziata

• Tensione di scarica distruttiva elevata drain-source: fino a 1200 V

• Dispositivi multipli sono facili da azionare in parallelo o in modalità semplice

• Commutazione ad alta velocità con bassa resistenza all'accensione

• Funzionamento resistente a latch-up

Transistor MOSFET, Wolfspeed

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