MOSFET Wolfspeed, canale Tipo N 1700 V, 1.4 Ω Miglioramento, 5.3 A, 7 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 162-9710
- Codice costruttore:
- C2M1000170J
- Costruttore:
- Wolfspeed
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- Codice RS:
- 162-9710
- Codice costruttore:
- C2M1000170J
- Costruttore:
- Wolfspeed
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Wolfspeed | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 5.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1700V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.4Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 13nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 78W | |
| Tensione diretta Vf | 3.8V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.23mm | |
| Altezza | 4.57mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Wolfspeed | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 5.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1700V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.4Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 78W | ||
Tensione diretta Vf 3.8V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.23mm | ||
Altezza 4.57mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET di potenza in carburo di silicio Wolfspeed
MOSFET di potenza in carburo di silicio Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Wolfspeed. Una gamma di MOSFET SiC di seconda generazione prodotta da Wolfspeed, la divisione di potenza di Cree, in grado di erogare densità di potenza ed efficienza di commutazione leader nel settore. Questi dispositivi a bassa capacità consentono frequenze di commutazione più alte e presentano minori requisiti di raffreddamento che migliorano l'efficienza operativa totale del sistema.
• Tecnologia SiC a canale N in modalità potenziata
• Tensione di scarica distruttiva elevata drain-source: fino a 1200 V
• Dispositivi multipli sono facili da azionare in parallelo o in modalità semplice
• Commutazione ad alta velocità con bassa resistenza all'accensione
• Funzionamento resistente a latch-up
Transistor MOSFET, Wolfspeed
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