MOSFET Wolfspeed, canale Tipo N 900 V, 78 mΩ Miglioramento, 35 A, 7 Pin, TO-263-7, Foro passante C3M0065090J

Codice RS:: 915-8830
Codice costruttore:: C3M0065090J
Costruttore:: Wolfspeed

MOSFET Wolfspeed, canale Tipo N 900 V, 78 mΩ Miglioramento, 35 A, 7 Pin, TO-263-7, Foro passante C3M0065090J

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Codice RS:: 915-8830
Codice costruttore:: C3M0065090J
Costruttore:: Wolfspeed

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Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Wolfspeed
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	35A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	900V
	Serie	C3M
	Tipo di package	TO-263-7
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	7
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	78mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	113W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	30nC
	Tensione diretta Vf	4.4V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	19 V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS, Halogen Free
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Wolfspeed
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 35A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 900V
	Serie C3M
	Tipo di package TO-263-7
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 7
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 78mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 113W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 30nC
	Tensione diretta Vf 4.4V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 19 V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS, Halogen Free
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET di potenza in carburo di silicio Wolfspeed

MOSFET di potenza in carburo di silicio Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Wolfspeed. Una gamma di MOSFET SiC di seconda generazione prodotta da Wolfspeed, la divisione di potenza di Cree, in grado di erogare densità di potenza ed efficienza di commutazione leader nel settore. Questi dispositivi a bassa capacità consentono frequenze di commutazione più alte e presentano minori requisiti di raffreddamento che migliorano l'efficienza operativa totale del sistema.

• Tecnologia SiC a canale N in modalità potenziata

• Tensione di scarica distruttiva elevata drain-source: fino a 1200 V

• Dispositivi multipli sono facili da azionare in parallelo o in modalità semplice

• Commutazione ad alta velocità con bassa resistenza all'accensione

• Funzionamento resistente a latch-up

MOSFET Wolfspeed, canale Tipo N 900 V, 78 mΩ Miglioramento, 35 A, 7 Pin, TO-263-7, Foro passante C3M0065090J

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MOSFET di potenza in carburo di silicio Wolfspeed

Transistor MOSFET, Wolfspeed

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