MOSFET Wolfspeed, canale Tipo N 1200 V, 75 mΩ Miglioramento, 30 A, 4 Pin, TO-247, Foro passante
- Codice RS:
- 192-3519
- Codice costruttore:
- C3M0075120K
- Costruttore:
- Wolfspeed
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- 192-3519
- Codice costruttore:
- C3M0075120K
- Costruttore:
- Wolfspeed
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Wolfspeed | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 30A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Serie | C3M | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 75mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 113.6W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 19 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 53nC | |
| Tensione diretta Vf | 4.5V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 16.13mm | |
| Altezza | 23.6mm | |
| Larghezza | 5.21 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Wolfspeed | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 30A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Serie C3M | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 75mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 113.6W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 19 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 53nC | ||
Tensione diretta Vf 4.5V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 16.13mm | ||
Altezza 23.6mm | ||
Larghezza 5.21 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Wolfspeed estende la sua leadership nella tecnologia SiC introducendo la tecnologia MOSFET SiC Advanced nel nuovo contenitore discreto a bassa induttanza. I pacchetti appena rilasciati consentono agli ingegneri di sfruttare appieno la capacità ad alta frequenza dei più recenti chip MOSFET planari C3MTM. I progettisti possono ridurre il numero di componenti passando da topologie a tre livelli basate su silicio a topologie a due livelli più semplici rese possibili dalle migliori prestazioni di commutazione. Questo dispositivo è dotato di bassa resistenza all'accensione combinata con una bassa carica del gate, il che lo rende ideale per topologie PFC trifase, bridgeless, nonché per convertitori e caricabatterie CA-CA.
Minimo di 1200V Vbr per l'intera gamma di temperature di esercizio
Nuovo contenitore a bassa impedenza con sorgente driver
>8mm di dispersione/gioco tra scarico e sorgente
Commutazione ad alta velocità con bassa capacità di uscita
Elevata tensione di bloccaggio con bassa RDS (on)
Diodo intrinseco rapido con basso recupero inverso (Qrr)
Facili da azionare in parallelo o in modalità semplice
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