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    MOSFET Wolfspeed, canale N, 34 mΩ, 90 A, TO-247, Su foro

    Wolfspeed
    Codice RS:
    145-6863
    Codice costruttore:
    C2M0025120D
    Costruttore:
    Wolfspeed
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    1770 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
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    € 70,381

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    *prezzo indicativo
    Codice RS:
    145-6863
    Codice costruttore:
    C2M0025120D
    Costruttore:
    Wolfspeed

    Normative

    Paese di origine:
    CN

    Dettagli prodotto

    MOSFET di potenza in carburo di silicio Wolfspeed


    MOSFET di potenza in carburo di silicio Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Wolfspeed. Una gamma di MOSFET SiC di seconda generazione prodotta da Wolfspeed, la divisione di potenza di Cree, in grado di erogare densità di potenza ed efficienza di commutazione leader nel settore. Questi dispositivi a bassa capacità consentono frequenze di commutazione più alte e presentano minori requisiti di raffreddamento che migliorano l'efficienza operativa totale del sistema.

    • Tecnologia SiC a canale N in modalità potenziata
    • Tensione di scarica distruttiva elevata drain-source: fino a 1200 V
    • Dispositivi multipli sono facili da azionare in parallelo o in modalità semplice
    • Commutazione ad alta velocità con bassa resistenza all'accensione
    • Funzionamento resistente a latch-up


    Transistor MOSFET, Wolfspeed

    Specifiche

    AttributoValore
    Tipo di canaleN
    Corrente massima continuativa di drain90 A
    Tensione massima drain source1200 V
    Tipo di packageTO-247
    Tipo di montaggioSu foro
    Numero pin3
    Resistenza massima drain source34 mΩ
    Modalità del canaleEnhancement
    Tensione di soglia gate massima4V
    Tensione di soglia gate minima2V
    Dissipazione di potenza massima463 W
    Configurazione transistorSingolo
    Tensione massima gate source+25 V
    Massima temperatura operativa+150 °C
    Numero di elementi per chip1
    Larghezza21.1mm
    Carica gate tipica @ Vgs161 nC a 20 V
    Lunghezza16.13mm
    Materiale del transistorSiC
    Minima temperatura operativa-55 °C
    Altezza5.21mm
    Tensione diretta del diodo3.3V

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