MOSFET Wolfspeed, canale N, 208 mΩ, 31 A, TO-247, Su foro
- Codice RS:
- 919-9749
- Codice costruttore:
- C2M0080120D
- Costruttore:
- Wolfspeed
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Prezzo per Each (In a Tube of 30)
€ 20,084
(IVA esclusa)
€ 24,502
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per stecca* |
| 30 + | € 20,084 | € 602,52 |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 919-9749
- Codice costruttore:
- C2M0080120D
- Costruttore:
- Wolfspeed
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
MOSFET di potenza in carburo di silicio Wolfspeed
MOSFET di potenza in carburo di silicio Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Wolfspeed. Una gamma di MOSFET SiC di seconda generazione prodotta da Wolfspeed, la divisione di potenza di Cree, in grado di erogare densità di potenza ed efficienza di commutazione leader nel settore. Questi dispositivi a bassa capacità consentono frequenze di commutazione più alte e presentano minori requisiti di raffreddamento che migliorano l'efficienza operativa totale del sistema.
• Tecnologia SiC a canale N in modalità potenziata
• Tensione di scarica distruttiva elevata drain-source: fino a 1200 V
• Dispositivi multipli sono facili da azionare in parallelo o in modalità semplice
• Commutazione ad alta velocità con bassa resistenza all'accensione
• Funzionamento resistente a latch-up
• Tensione di scarica distruttiva elevata drain-source: fino a 1200 V
• Dispositivi multipli sono facili da azionare in parallelo o in modalità semplice
• Commutazione ad alta velocità con bassa resistenza all'accensione
• Funzionamento resistente a latch-up
Transistor MOSFET, Wolfspeed
Specifiche
| Attributo | Valore |
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 31 A |
| Tensione massima drain source | 1200 V |
| Tipo di package | TO-247 |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 208 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 3.2V |
| Tensione di soglia gate minima | 1.7V |
| Dissipazione di potenza massima | 208 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -10 V, +25 V |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Lunghezza | 16.13mm |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Larghezza | 5.21mm |
| Carica gate tipica @ Vgs | 49,2 nC a 20 V |
| Materiale del transistor | SiC |
| Altezza | 21.1mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |