MOSFET Wolfspeed, canale N, 75 mΩ, 30 A, TO-247-4, Su foro

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Codice RS:
192-3375
Codice costruttore:
C3M0075120K
Costruttore:
Wolfspeed
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Marchio

Wolfspeed

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

30 A

Tensione massima drain source

1200 V

Tipo di package

TO-247-4

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

4

Resistenza massima drain source

75 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

3.6V

Tensione di soglia gate minima

1.8V

Dissipazione di potenza massima

113,6 W.

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-8 V, 19 V.

Lunghezza

16.13mm

Materiale del transistor

SiC

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

5.21mm

Carica gate tipica @ Vgs

53 nC @ 4/15V

Altezza

23.6mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Wolfspeed estende la sua leadership nella tecnologia SiC introducendo la tecnologia MOSFET SiC Advanced nel nuovo contenitore discreto a bassa induttanza. I pacchetti appena rilasciati consentono agli ingegneri di sfruttare appieno la capacità ad alta frequenza dei più recenti chip MOSFET planari C3MTM. I progettisti possono ridurre il numero di componenti passando da topologie a tre livelli basate su silicio a topologie a due livelli più semplici rese possibili dalle migliori prestazioni di commutazione. Questo dispositivo è dotato di bassa resistenza all'accensione combinata con una bassa carica del gate, il che lo rende ideale per topologie PFC trifase, bridgeless, nonché per convertitori e caricabatterie CA-CA.

Minimo di 1200V Vbr per l'intera gamma di temperature di esercizio
Nuovo contenitore a bassa impedenza con sorgente driver
>8mm di dispersione/gioco tra scarico e sorgente
Commutazione ad alta velocità con bassa capacità di uscita
Elevata tensione di bloccaggio con bassa RDS (on)
Diodo intrinseco rapido con basso recupero inverso (Qrr)
Facili da azionare in parallelo o in modalità semplice

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