MOSFET Texas Instruments, canale P, 92 mΩ, 3 A, DSBGA, Montaggio superficiale

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Codice RS:
162-9740
Codice costruttore:
CSD25304W1015T
Costruttore:
Texas Instruments
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Marchio

Texas Instruments

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

3 A

Tensione massima drain source

20 V

Serie

NexFET

Tipo di package

DSBGA

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

6

Resistenza massima drain source

92 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

1.15V

Tensione di soglia gate minima

0.55V

Dissipazione di potenza massima

750 mW

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-8 V, +8 V

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

1mm

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

1.5mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Carica gate tipica @ Vgs

3,3 nC a 4,5 V

Tensione diretta del diodo

1V

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
PH

MOSFET di potenza NexFET™ canale P, Texas Instruments



Transistor MOSFET, Texas Instruments

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