MOSFET onsemi, canale P, 19 mΩ, 11,4 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 163-1135
Codice costruttore:: NTMS4177PR2G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 19 mΩ, 11,4 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)**

0,33 €

(IVA esclusa)

0,40 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,33 €	825,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 163-1135
Codice costruttore:: NTMS4177PR2G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	11,4 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	19 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	29 nC a 4,5 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	5mm
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale P, 19 mΩ, 11,4 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P da 30 V a 500 V, ON Semiconductor

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