MOSFET onsemi, canale Tipo P 30 V, 19 mΩ Miglioramento, 11.4 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

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Codice RS:
163-1135
Codice costruttore:
NTMS4177PR2G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

11.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOIC

Serie

NTMS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

19mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

29nC

Tensione diretta Vf

-1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Altezza

1.5mm

Larghezza

4 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH

MOSFET a canale P da 30 V a 500 V, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


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