MOSFET onsemi, canale P, 19 mΩ, 11,4 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 780-4723
Codice costruttore:: NTMS4177PR2G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 19 mΩ, 11,4 A, SOIC, Montaggio superficiale

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1pz in confezione da 10

0,622 €

(IVA esclusa)

0,759 €

(IVA inclusa)

2000 Disponibile per la consegna entro 2 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per confezione**
10 - 20	0,622 €	6,22 €
30 - 90	0,477 €	4,77 €
100 - 190	0,374 €	3,74 €
200 - 390	0,355 €	3,55 €
400 +	0,348 €	3,48 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 780-4723
Codice costruttore:: NTMS4177PR2G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	11,4 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	19 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	4mm
Carica gate tipica @ Vgs	29 nC a 4,5 V
Lunghezza	5mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale P, 19 mΩ, 11,4 A, SOIC, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET a canale P da 30 V a 500 V, ON Semiconductor

Link consigliati