MOSFET onsemi, canale P, 130 mΩ, 3,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 166-3364
Codice costruttore:: FDS9431A
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 130 mΩ, 3,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)**

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Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,317 €	792,50 €

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Codice RS:: 166-3364
Codice costruttore:: FDS9431A
Costruttore:: onsemi

FDS9431A, P-Channel 2.5V Specified MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	3,5 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	130 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Lunghezza	5mm
Carica gate tipica @ Vgs	6 nC a 4,5 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4mm
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale P, 130 mΩ, 3,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Modalità di miglioramento MOSFET a canale P, on Semiconductor

Caratteristiche e vantaggi:

Applicazioni:

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