MOSFET onsemi, canale Tipo P 20 V, 130 mΩ Miglioramento, 3.5 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

Codice RS:: 166-3364
Codice costruttore:: FDS9431A
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo P 20 V, 130 mΩ Miglioramento, 3.5 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

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Codice RS:: 166-3364
Codice costruttore:: FDS9431A
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	3.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	20V
	Serie	PowerTrench
	Tipo di package	SOIC
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	130mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	6nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	2.5W
	Tensione diretta Vf	-1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	8 V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	5mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	1.5mm
	Larghezza	4 mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 3.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V
	Serie PowerTrench
	Tipo di package SOIC
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 130mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W
	Tensione diretta Vf -1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8 V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 5mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 1.5mm
	Larghezza 4 mm
	Standard automobilistico No

Modalità di miglioramento MOSFET a canale P, on Semiconductor

La gamma di MOSFET a canale P di Semiconductors viene prodotta utilizzando la tecnologia DMOS proprietaria ON Semi ad alta densità di celle. Questo processo ad altissima densità è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza allo stato di accensione per fornire prestazioni robuste e affidabili per una commutazione veloce.

Caratteristiche e vantaggi:

• Interruttore piccolo segnale P-Channel a tensione controllata

• Progettazione celle ad alta densità

• Corrente di saturazione elevata

• Commutazione superiore

• Prestazioni robuste e affidabili

• Tecnologia DMOS

Applicazioni:

• Commutazione del carico

• Convertitore DC/DC

• Protezione della batteria

• Controllo della gestione dell'alimentazione

• Comando motore DC

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.