MOSFET Infineon, canale N 75 V, 26 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Codice RS:: 165-5971
Codice costruttore:: IPD30N08S2L21ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 75 V, 26 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1622,50 €

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Codice RS:: 165-5971
Codice costruttore:: IPD30N08S2L21ATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	30A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	75V
	Tipo di package	TO-252
	Serie	OptiMOS
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	26mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	56nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	136W
	Tensione diretta Vf	900mV
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Larghezza	6.22mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	2.41mm
	Lunghezza	6.73mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 30A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 75V
	Tipo di package TO-252
	Serie OptiMOS
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 26mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 56nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 136W
	Tensione diretta Vf 900mV
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Larghezza 6.22mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 2.41mm
	Lunghezza 6.73mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

Non applicabile

Paese di origine:: CN

MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 75 V, corrente di drenaggio continua massima di 30 A - IPD30N08S2L21ATMA1

Questo MOSFET è un transistor di commutazione di potenza progettato per i sistemi elettronici più impegnativi, che fornisce una conduzione controllata tra drain e source in configurazioni con modalità di potenziamento a canale N. È progettato per l'assemblaggio a montaggio superficiale in progetti di potenza compatti e per l'uso in cui sono richieste temperature d'esercizio elevate e qualificazione di grado automobilistico.

Caratteristiche e vantaggi:

• La tensione di drenaggio di 75 V consente una robusta commutazione ad alta tensione
• Corrente continua di 30 A che supporta un'erogazione di carico consistente
• Basso Rds(on) di 26 mΩ che riduce le perdite di conduzione
• La capacità di dissipazione di 136 W favorisce il margine termico nei progetti
• Carica gate tipica di 56 nC che migliora il controllo della velocità di commutazione
• La tolleranza del gate di ±20 V consente schemi di gate drive flessibili

Applicazioni

• Adatto per gli stadi dei convertitori CC-CC per uso automobilistico
• Ideale per il raddrizzamento sincrono negli alimentatori
• Utilizzato con circuiti front-end inverter per azionamento motore
• Può essere utilizzato per convertitori di punto di carico ad alta efficienza
• Adatto per la gestione dell'alimentazione a livello di scheda nei veicoli

Quale tipo di imballaggio devono aspettarsi i progettisti per il layout del circuito stampato?

Il dispositivo è fornito in un contenitore TO-252 destinato al montaggio superficiale, che influisce sul design del modello di terra e del pad termico.

In che modo il dispositivo gestisce condizioni ambientali estreme?

È classificato per funzionare in un'ampia gamma di temperature da -55 °C a 175 °C per adattarsi ad ambienti ad alta temperatura.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per i circuiti di controllo?

Il valore nominale massimo gate-source è di ±20 V

i circuiti di azionamento del gate devono limitare le escursioni all'interno di questo intervallo e tenere conto della carica tipica del gate di 56 nC durante la dimensionamento dei driver.

Esistono vincoli specifici in termini di prestazioni termiche da prevedere?

Con una dissipazione di potenza massima di 136 W, la gestione termica deve considerare i percorsi di conduzione e il dissipatore di calore a livello di scheda per mantenere i limiti di giunzione.