MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 26 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD30N08S2L21ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
827-5120
Codice costruttore:
IPD30N08S2L21ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Tipo di package

TO-252

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

26mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

136W

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

6.22 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.41mm

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Non applicabile

Famiglia di MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™


I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.

Canale N - modalità potenziata

Qualifica per uso automobilistico AEC Q101

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Contenitore verde (senza piombo)

Rds(on) ultra bassa

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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