MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 26 mΩ Miglioramento, 35 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD35N10S3L26ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-3043
Codice costruttore:
IPD35N10S3L26ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

35A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

OptiMOS-T

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

26mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

71W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.41mm

Larghezza

6.22 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET per uso automobilistico a canale N serie Infineon OptiMOS™-T integrato con contenitore di tipo DPAK (TO-252). Ha basse perdite di potenza di conduzione e commutazione.

Canale N - modalità potenziata

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Temperatura d'esercizio: 175 °C

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