MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 28.5 mΩ Miglioramento, 35 A, 3 Pin, TO-252, Superficie AUIRFR540Z

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-8953
Codice costruttore:
AUIRFR540Z
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

35A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

28.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

91W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

39nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.22mm

Altezza

2.39mm

Larghezza

6.73 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

I MOSFET di potenza Infineon HEXFET utilizzano le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono la temperatura d'esercizio della giunzione a 175 °C, la velocità di commutazione rapida e il valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo migliorato. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in applicazioni automobilistiche e un'ampia varietà di altre applicazioni.

Avanzata tecnologia di processo

Resistenza ultra bassa in stato attivo

Qualificato per il settore automobilistico

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