MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 28.5 mΩ Miglioramento, 35 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
214-8951
Codice costruttore:
AUIRFR540Z
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

35A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

28.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

39nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

91W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.39mm

Lunghezza

6.22mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.73 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

I MOSFET di potenza Infineon HEXFET utilizzano le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono la temperatura d'esercizio della giunzione a 175 °C, la velocità di commutazione rapida e il valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo migliorato. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in applicazioni automobilistiche e un'ampia varietà di altre applicazioni.

Avanzata tecnologia di processo

Resistenza ultra bassa in stato attivo

Qualificato per il settore automobilistico

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