MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 28.5 mΩ Miglioramento, 35 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 214-8951
- Codice costruttore:
- AUIRFR540Z
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 tubo da 75 unità*
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 75 + | 0,889 € | 66,68 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-8951
- Codice costruttore:
- AUIRFR540Z
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 35A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 28.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 91W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 39nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 2.39mm | |
| Lunghezza | 6.22mm | |
| Larghezza | 6.73 mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 35A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 28.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 91W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 39nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 2.39mm | ||
Lunghezza 6.22mm | ||
Larghezza 6.73 mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
I MOSFET di potenza Infineon HEXFET utilizzano le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono la temperatura d'esercizio della giunzione a 175 °C, la velocità di commutazione rapida e il valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo migliorato. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in applicazioni automobilistiche e un'ampia varietà di altre applicazioni.
Avanzata tecnologia di processo
Resistenza ultra bassa in stato attivo
Qualificato per il settore automobilistico
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