MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 28.5 mΩ Miglioramento, 35 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRFR540ZTRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-2599
Codice costruttore:
IRFR540ZTRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

35A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

28.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

59nC

Dissipazione di potenza massima Pd

91W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET di potenza Infineon HEXFET® utilizza le più recenti tecniche di elaborazione ID 35A per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questa struttura sono una temperatura d'esercizio della giunzione a 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliori valori nominali dell'effetto valanga. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.

Avanzata tecnologia di processo

Resistenza ultra bassa in stato attivo

Senza piombo e senza alogeni

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